Het officiële persbericht
SK hynix Inc. kondigde vandaag aan dat het de eerste 16Gb DDR5 in de sector heeft ontwikkeld, gebouwd met behulp van zijn 1c-node, de zesde generatie van het 10nm-proces.
Het succes markeert het begin van de extreme schaalvergroting naar het niveau dichter bij 10nm in de geheugenprocestechnologie.
De moeilijkheidsgraad om het krimpproces van de 10nm DRAM-technologie te bevorderen is in de loop der generaties toegenomen, maar SK hynix is de eerste in de industrie die de technologische beperkingen heeft overwonnen door het niveau van voltooiing in het ontwerp te verhogen, dankzij zijn toonaangevende technologie van de 1b, de vijfde generatie van het 10nm-proces.
SK hynix zei dat het binnen het jaar klaar zal zijn voor massaproductie van de 1c DDR5 om volgend jaar te beginnen met levering in grote hoeveelheden.
Om mogelijke fouten die voortvloeien uit de procedure van het geavanceerde proces te verminderen en het voordeel van de 1b, die alom wordt geprezen voor zijn best presterende DRAM, op de meest efficiënte manier over te brengen, breidde het bedrijf het platform van de 1b DRAM uit voor de ontwikkeling van 1c.
Het nieuwe product wordt geleverd met een verbetering van het kostenconcurrentievermogen, vergeleken met de vorige generatie, door het gebruik van een nieuw materiaal in bepaalde processen van het extreme ultraviolet, of EUV, terwijl het EUV-toepassingsproces van het totaal wordt geoptimaliseerd. SK hynix heeft ook de productiviteit met meer dan 30% verbeterd door technologische innovatie in het ontwerp.
De operationele snelheid van de 1c DDR5, die naar verwachting zal worden gebruikt voor high-performance datacenters, is met 11% verbeterd ten opzichte van de vorige generatie, tot 8Gbps. Met een energie-efficiëntie die ook met meer dan 9% is verbeterd, verwacht SK hynix dat de toepassing van 1c DRAM datacenters zal helpen om de elektriciteitskosten met maar liefst 30% te verlagen in een tijd waarin de vooruitgang van het AI-tijdperk leidt tot een toename van het energieverbruik.
“We streven ernaar klanten gedifferentieerde waarden te bieden door de 1c-technologie met de beste prestaties en concurrerende kosten toe te passen op onze belangrijkste producten van de volgende generatie, waaronder HBM, LPDDR6 en GDDR7," aldus Kim Jonghwan, hoofd DRAM-ontwikkeling. “We zullen blijven werken aan het behoud van ons leiderschap in de DRAM-ruimte en onze positie als de meest betrouwbare leverancier van AI-geheugenoplossingen."
